Смартфоны среднего класса первыми получают компонент нового типа, сочетающий сверхбыструю память и хранилище в одном физическом корпусе, что позволяет сократить расходы благодаря повышенной простоте.
Американский производитель Micron отвечает за новую технологию (названную uMCP5), которая объединяет LPDDR5-6400 DRAM и 96-слойную 3D NAND флэш-память.
uMCp5 будет предлагать 12 ГБ памяти LPDDR5-6400 в двухканальной конфигурации (для повышения производительности), 256 ГБ 96-слойного 3D-хранилища TLC NAND с интерфейсом UFS и встроенным контроллером. Micron еще предстоит подтвердить, будет ли он предлагать более высокие объемы хранения и памяти.
Рост числа устройств с поддержкой 5G создал потребность в более быстрых подсистемах памяти и хранения. Решение Micron обеспечивает пропускную способность на 50% больше (до 6,4 Гбит / с), а физическая площадь почти вдвое меньше, чем у предыдущих моделей. Выбор одного пакета снижает сложность и стоимость производства, сокращая при этом размер и энергопотребление.
Новая технология, вероятно, распространится на персональные компьютеры и ноутбуки в 2021 году, способствуя значительному росту производительности без пропорционального увеличения стоимости, но не раньше, чем появятся на смартфонах.
Samsung Galaxy S20 был первым смартфоном с памятью LPDDR5, и с тех пор к нему присоединились RealMe 50X Pro, Redmi K30 Pro, iQoo 3 5G и Red Magic 5G. Еще неизвестно, какой поставщик первым примет uMCp5.
Источник: